ASML将发全新光刻机，售价26亿一台
ASML将发全新光刻机，售价26亿一台，按照之前的说法，ASML正在研发新款光刻机，价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），ASML将发全新光刻机，售价26亿一台。
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据 semiwiki 日前的报道，截至 2022 年第一季度，ASML 已出货 136 个 EUV 系统，约曝光 7000 万个晶圆已曝光（如下图）。
台积电在早前的技术大会上则表示，在全球已经安装的 EUV 光刻机系统中，台积电拥有了其中的 55%。三星的实际控制人李在镕日前则拜访了荷兰总统，以寻找更多的 EUV 供应。
这再次说明，生产先进芯片必不可少的 EUV 成为了全球关注的目标。在日前的一些报道中，我们也看到了 EUV 光刻机的一些路线图更新。
0.33NA EUV 的新进展
报道中表示， 0.33 NA 的 EUV 系统是当今前沿光刻的主力生产系统。先进的逻辑和 DRAM 都在使用 0.33 NA 的系统大批量生产。下图说明了逻辑和 DRAM（条）的 EUV 层数和每年使用 EUV 曝光的晶圆（面积）。
据 ASML 公司的 Mike Lercel 介绍 ，以典型的 5nm 工艺为例，2021 年的逻辑值是 10 层以上 EUV 层，到 2023 年的 3nm 将会有 20 层的 EUV 层，而 DRAM 目前的 EUV 层使用量约为 5 层。
Mike Lercel 还谈到了未来 DRAM 曝光的展望，他指出，不就之后 DRAM 上有大约会有 8 个关键层，最终其中一些层可能需要多重图案化，使每个晶圆的 EUV 曝光达到 10 层。
从报道中可以看到，新型号的 EUV 光刻机系统 NXE:3600D 将能达到 93% 的可用性，这将让其进一步接近 DUV 光刻机（95% 的可用性）。
数据显示，NXE:3600D 系统每小时可生产 160 个晶圆 ( wph ) ，速度为 30mJ/cm?，这比 NXE:3400C 高 18%。二正在开发的 NXE:3800E 系统最初将以 30mJ/cm? 的速度提供大过 195wph 的产能，并在吞吐量升级后达到 220wph。
据介绍，NXE:3600E 将在像差、重叠和吞吐量方面进行渐进式光学改进。
从 semiwi 的报道中我们可以看到，在 0.33 NA 的 EUV 光刻机领域，ASML 路线图包括到 2025 年左右推出吞吐量约为 220wph 的 NXE:4000F。按照 EUV 执行副总裁 Christophe Fouquet 在参加高盛虚拟峰会的时候的说法，公司之所以把新设备称它为 F，因为 ASML 也希望通过该设备能显著提高生产力，这主要归功于公司希望在该系统的功率上能够更进一步。
至于产能的增加幅度，Christophe Fouquet 表示，这可能会达到 10% 到 20%，但他们依然还没有最终确定。不过 ASML 目前计划在 2025 年左右交付第一个 NXE:4000F 系统。
semiwiki 在文章中表示，对于 0.33 NA 系统，ASML 正致力于通过增加吞吐量和降低总能量来减少每次曝光所需的功耗，而双重图案甚至也将成为 0.33NA 光刻机需要发力的一个方面。
如在之前的报道中指出，在发力 0.33 NA 光刻机的时候，ASML 也在加快 0.55 NA 光刻机的进度。而继英特尔表示将在 2025 年使用上 High-NA 光刻机之后，台积电在日前也将 High-NA 光刻机的应用时间放在 2024 年。这无疑是大大提升了先进 EUV 光刻机的应用时间。
因为从相关资料可以看到， 0.33 NA 的常规 EUV 光刻机从原型机出货（2010 年）到量产机出货（2019 年）用了大约 10 年时间。如果相关报道属实，那就意味着 0.55 NA 的 high NA EUV 光刻机从原型机出货（2023 年）到量产机出货（2026 年）只需要短短的三年。
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对于芯片厂商而言，光刻机显得至关重要，而ASML也在积极布局新的技术。据外媒报道称，截至 2022 年第一季度，ASML已出货136个EUV系统。
按照官方的说法，新型号的EUV光刻机系统 NXE:3600D将能达到93%的可用性，这将让其进一步接近DUV光刻机（95%的可用性）。
数据显示，NXE:3600D系统每小时可生产160个晶圆 (wph)，速度为30mJ/cm，这比 NXE:3400C高18%。二正在开发的 NXE:3800E系统最初将以30mJ/cm的速度提供大过195wph的产能，并在吞吐量升级后达到220wph。
据介绍，NXE:3600E 将在像差、重叠和吞吐量方面进行渐进式光学改进，而在0.33 NA的EUV光刻机领域，ASML路线图包括到2025年左右推出吞吐量约为220wph的NXE:4000F。
对于0.55 NA的光刻机，需要更新的不但是其光刻机系统。同时还需要在光掩模、光刻胶叠层和图案转移工艺等方面齐头并进，才能让新设备应用成为可能。
根据ASML 在一季度财务会议上披露的数据，公司的目标是在2022年出货55台EUV系统，并到2025年实现（最多）90台工具的计划。ASML同时还承认， 90台可能超过2025年的实际需求，不过他们将其描述为为满足2030年1万亿美元半导体行业需求所做出的.巨大努力。
按照之前的说法，ASML正在研发新款光刻机，价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），双层巴士大、重超200吨。原型机预计2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出货。
这款机器应该指的就是High-NA EXE:5200（0.55NA），Intel是全球第一个下单的公司。所谓High-NA也就是高数值孔径，2nm之后的节点都得依赖它实现。
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当前，全球具备5nm及以下制程芯片制造实力的晶圆制造企业，正在展开一场投资超600亿美元、以纳米乃至原子厚度为目标的先进制程竞赛。
近期，2nm等先进芯片发展备受行业关注。
6月17日台积电举行的技术论坛上，晶圆代工龙头台积电（TSMC）首次披露，到2024年，台积电将拥有阿斯麦（ASML）最先进的高数值孔径极紫外（high-NA EUV）光刻机，用于生产纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）芯片，预计在2025年量产。
与此同时，6月初被美国总统拜登亚洲行接见后，紧接着，韩国三星电子副会长李在镕又马不停蹄奔赴欧洲，有报道指三星电子在阿斯麦获得了十多台EUV光刻机，并于本周起大规模生产3nm芯片，而2nm将于2025年量产。
尽管量产2nm芯片依然还需时日，但此时此刻，台积电、三星电子两家芯片大厂不约而同的寻求下一代EUV光刻机，意味着现在“2nm技术战”已经打响。
“到了未来的技术节点，间距微缩将减缓，硅晶体管似乎只能安全地微缩至2nm，而在那之后，我们可能就会开始使用石墨烯。”芯片制造的核心软件EDA巨头新思科技（Synopsys）研究专家Victor Moroz的这句话道出了2nm技术的重要性：2nm是硅芯片的最后一战。
阿斯麦（ASML）最新研发的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）光刻机，是2nm工艺的关键工具，成为三星、台积电争夺的焦点。
光刻机被誉为“皇冠上的明珠”，其利用特殊的光源和玻璃，将晶体管和设计好的电路图投射到硅芯片，来绘制芯片电路，其大小相当于一辆公交车，一家先进芯片工厂通常需要9~18台这样的设备。
芯片制造离不开光刻机，且制程越先进，其重要性越凸出，占芯片制造总成本比例也越高，总体来看，光刻机的成本占总设备成本的30%。
没有EUV光刻机，就无法制造先进制程芯片。而目前EUV光刻孔径为0.33NA，最多制造3nm芯片。
随着芯片越来越精密，更高数值的孔径意味着更小的光线入射角度，也意味着能够用来制造尺寸更小、速度更快的芯片。如今，三星、台积电都希望通过获得下一代EUV光刻机，从而在未来2nm技术竞争上占据优势。
最先进的高数值孔径EUV光刻机，目前只有ASML能够生产。然而，光刻机设备开发难度很大，一年只能生产十几台。随着全球芯片短缺，ASML不得不延迟交付，产能有限，厂商们要买到，并不容易。
此次李在镕到访欧洲，主要目的之一就是到荷兰采购ASML下一代EUV光刻机。更早之前，英特尔CEO基辛格为了能追赶台积电、三星，不止是投资入股阿斯麦公司，还提早花高价订购EUV光刻机制造产能。
据ASML公布的数据，新的EXE:5000系列high-NA EUV光刻机，镜头数值孔径从0.33NA变为0.55NA，孔径大小增加了67%，有望实现8nm的分辨率。预计这种设备非常复杂、非常大且价格昂贵——每台的成本将超过4亿美元。
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